Begriff	Definition
AMP	HP-Compaqs Konzept Advanced Memory Protection umfasst Funktionen Hot Spare Memory , Memory Mirroring und Advanced ECC-Chipkill
Chipkill	IBM Chipkill™ist eine Weiterentwicklung des Hauptspeicher-Fehlerkorrekturcode ECC, die den Ausfall eines kompletten Speicherchips kompensieren kann. In der ursprünglichen Variante funktioniert Chipkill mit einem 128-Bit-Speicherbus mit 16 redundanten Bits (zwei 64-Bit-Busse mit ECC) nur für x4-organisierte Speicherchips. Intel nennt diese Fehlersicherungsmethode auch x4 Single Device Data Correction (SDDC). Chipkill ist mittlerweile bei manchen Chipsätzen auch für x8-Chips möglich. Chipkill wird auch von Serverhersteller wie Acer, Apple, Dell, Fujitsu-Siemens, Silicon Graphics und Sun eingesetzt.
DDR	Double Data Rate (DDR) DDR-Speicher sind die nächste Generation der heutigen SDRAM-Speicher. Der DDR-Speicher basiert prinzipiell auf demselben Design wie SDRAM, nur dass beim DDR-Speicher Daten auf beiden Flanken eines Taktzyklus gelesen werden, wodurch sich die Bandbreite im Vergleich zu Standard-SDRAMs verdoppelt. Damit können die Daten auf einem Datenbus ohne Erhöhung der Taktfrequenz mit doppelt so hoher Geschwindigkeit übertragen werden im Vergleich zu SDRAM. Gängige Geschwindigkeiten sind DDR266 - PC2100 DDR333 - PC2700 und DDR400 - PC3200
DDR2	Eine Weiterentwicklung des DDR-SDRAM Konzeptes sind die DDR2-SDRAM Speicher. Bei den DDR2-Speichern wurde der Speicher-Cache von 2- auf 4-fach-Prefetch-Einheiten erhöht.
Dual Channel	Vereinfacht gesagt verdoppelt eine Dual Channel Konfiguration im Vergleich zum Singel Channel Modus die theoretische Datentransferrate ihres Systems. Dies geschieht durch das Bündeln eines passendes Modulpaares in Verbindung mit einem parallelen Speicherzugriff auf die beiden Speicherkanäle. Es gibt unterschiedliche Bedingungen hierfür. Siehe Dual Channel DDR oder Dual Channel DDR2 und DDR3
DDR3	Das DDR3-SDRAM Konzept verwendet acht (statt vier) gleichzeitig ansprechbare Speicherbänke für eine effektivere Datenverarbeitung. Die Anordnung der Chip-Pins wurde für höhere Taktraten optimiert. Die Versorgungsspannung beträgt 1,5 Volt. Der Speicher-Cache wurde von 4- auf 8-fach-Prefetch-Einheiten erhöht. Dadurch können die Chips intern mit halben Takt arbeiten. Das senkt die Verlustleistung, erhöht aber auch die Wartezeiten zwischen der Anforderung und der Auslieferung eines Speicherinhaltes (CAS-Latency).
DIMM	Dual In-line Memory Module DIMM-Module und SIMM-Module unterscheiden sich hauptsächlich in den Kontakten der Metallstifte. Bei den DIMM-Modulen sind die Metallstifte auf den gegenüberliegenden Seiten des Moduls unabhängig voneinander und bilden zwei Kontakte. Die Metallstifte auf jeder Seite des SIMM-Moduls sind miteinander verbunden und bilden einen Kontakt. Man unterscheidet zwischen 168pin SDRAM, 184pin DDR und 240Pin DDR2.
DRAM	Dynamic Random Access Memory Der dynamische Direktzugriffspeicher ist die am häufigsten verwendete Form des Systemspeichers. Der DRAM-Speicher kann eine bestimmte Datenmenge nur für kurze Zeit aufnehmen und speichern. Um die Daten zu erhalten, muss der DRAM regelmäßig aufgefrischt werden, wenn nicht, gehen die Daten verloren.
ECC	Error Correction Code Der Fehlerkorrekturcode ist eine Methode, die Integrität der Daten im DRAM zu prüfen. Diese Methode kann sowohl Mehr-Bit-Fehler feststellen als auch Einzel-Bit-Fehler erkennen und korrigieren. Im Vergleich zur Paritätsprüfung ist ECC eine komplexere Fehlerbestimmungsmethode.
EDO	Extended Data Output Memory Auf Computern mit EDO-Speicher kann die CPU 10- 15% schneller auf den Speicher zugreifen als bei Verwendung vergleichbarer Chips, die FPM (Fast Page Mode) nutzen. Dies wird durch eine Form der DRAM-Technologie möglich, die den Lesezugriff beschleunigt.
FLASH	Ein Flash-Speicher ist ein sog. nichtflüchtiger Speicher, der nur Strom benötigt zum Lesen und Beschreiben. Für den dauerhaften Erhalt von Daten ist kein Strom erforderlich. Dadurch ist der Stromverbrauch geringer. Im Vergleich zu den herkömmlichen DRAM-Speichern liest und schreibt man auf einen nichtflüchtigen Speicher allerdings langsamer. Flash-Memorys findet man hauptsächlich in Digitalkameras und MP3-Playern, Camcordern und Druckern, Notebooks und Handhelds. Sie können aber auch als Speicherkarten für Arbeitsplatzrechner eingesetzt werden und für ein schnelles Zwischenspeichern zum Anschluss an Großrechner.
Flex Mode	Diese neue Dual Channel Technology bietet die höchste Flexibilät bei der Bestückung mit Speichermodulen. Er hebt sozusagen fast alle bisherigen Beschränkungen und Anforderungen an die Speichermodule auf. Der Dual Channel Modus funktioniert auch beim Einsatz von nur 2, 3 oder 4 DIMMs mit unterschiedlicher Gesamtkapazität in den Speicherkanälen..
FPM	Fast Page Mode Dabei handelt es sich um eine gängige DRAM-Speicherart. Bei Fast-Page-Speicher kann der Prozessor des Computers in der halben Zeit auf neue Daten zugreifen, wenn diese sich auf der gleichen Seite wie die vorher gelesenen Daten befinden.
Fully-Buffered (FB-DIMMs)	Die Fully-Buffered Technologie ist eine neue Speicherbustechnologie mit der das Geschwindigkeits- und Kapazitätsproblem der herkömmlichen Registered-DDR2-Speichermodulen gelöst werden konnte. Zentraler Bestandteil dieser neuen Speicherarchitektur ist der Advanced Memory Buffer (AMB), der die Pufferung und Verteilung der Daten zwischen den einzelnen Speicherchips auf dem Modul übernimmt. Dabei erfolgt die Verarbeitung der Daten nicht mehr parallel sondern seriell mittels Punkt-zu-Punkt- Verbindungen zwischen dem Memory-Controller und dem ersten sowie zwischen den einzelnen Speicherchips. Dadurch können sowohl die Speicherkapazitäten als auch die Speichergeschwindigkeiten um ein Vielfaches erhöht werden. Des Weiteren ermöglicht diese Speicherarchitektur eine bessere Skalierbarkeit und Flexibilität und bietet umfangreiche Datensicherheitsfeatures. Gängigste Geschwindigkeiten für INTEL-Chipsätze ist DDR2-667 - PC2-5300 FB - ECC - Fully Buffered
Hot Spare Memory	(auch: DIMM Sparing oder Online-Ersatzspeicher) Bei der Hot-Spare-Memory-Technologie steht eine festgelegte Speicherbank als Ersatz zur Verfügung. Stellt ein Memory-Controller häufige Speicherfehler bei einem Modul fest, deaktiviert er automatisch die Bank mit dem defekten Modul und aktiviert die Ersatz-Speicherbank. Das Hot-Spare-Modul wird automatisch zugeschalten und es kommt zu keinen Datenverlusten im laufenden Betrieb.
Northbridge	Als Northbridge bezeichnet man den Speichercontroller und die Verbindung in Form des Front-Side-Bus zwischen Hauptspeicher, Cache und CPU. AMD integriert diese Northbridge bei ihren Server und Workstationchipsätzen in die CPU.
Memory Mirroring	Die 1:1 Speicherspiegelung erfordert zwei identische Speichermodule in zwei verschiedenen Bänken. Der Memory-Controller blendet den gespiegelten Speicher automatisch aus und arbeitet nur mit einem aktiven Speicher. Entdeckt der Speicher-Controller eine Fehlerhäufung im aktiven Speicherbereich, schaltet er im laufenden Betrieb ohne Datenverluste auf den gespiegelten Bereich. Der Nachteil der Speicherspiegelung ist, dass durch diese Methode der nutzbare Gesamtspeicher halbiert wird.
Memory Scrubbing	Das Memory Scrubbing ist in der Lage, unabhängig vom Betriebssystem präventiv einen automatisierten Speichertest durchzuführen. Allerdings setzt Memory Scrubbing eine aktivierte ECC-Funktion des Chipsatzes voraus. Im Rahmen des Speichertests werden Speicherfehler untersucht und gegebenenfalls sicherheitsrelevante Funktionen wie Memory Mirroring oder ProteXion gestartet. Dadurch sollen Server-Ausfälle aufgrund Speicherdefekte verhindert werden. Die Ergebnisse des Speichertests werden an die Server-Management-Software weitergeleitet.
Parity	Bei der Paritätsprüfung handelt es sich um ein Verfahren zur Erkennung von Fehlern bei der Datenübertragung . Neben den 8-Datenbits wird ein zusätzliches 9. Prüfbit bzw. Paritätsbit vom Sender gesetzt und vom Empfänger ausgewertet.
RAM	Random Access Memory In Computern werden RAMs von Zentraleinheiten (CPU) als Arbeitsspeicher oder Hauptspeicher eingesetzt, auf den sie wahlfrei zugreifen können. Das bedeutet, dass auf jedes Byte direkt zugegriffen werden kann, ohne dass das vorherige oder folgende Byte einen Bezug dazu hat. In einem RAM kann - im Gegensatz zum ROM (= Read Only Memory) beliebig geschriebenund lesend zugegriffen werden. Die Daten werden in einem RAM so lange gespeichert, bis sie durch neue Daten überschrieben werden und so lange wie das RAM von einer Versorgungsspannung versorgt wird. Die Zugriffszeiten von RAMs liegen im Nanosekunden-Bereich. Man unterscheidet statisches SRAM und dynamisches DRAM. Beim statischen RAM bleiben Informationen nach dem Schreiben für längere Zeit erhalten, beim dynamischen RAM verflüchtigt sich die eingeschriebene Information nach Sekundenbruchteilen und muss daher ständig aufgefrischt werden (refresh).
RAMBUS	Rambus® Dynamic Random Access Memory Rambus® DRAM ist eine Artsynchroner DRAM, die von der US-Firma Rambus Corporation entwickelt wurde und von Intel als Nachfolgetechnik von SDRAM für Arbeitsspeicher im gesamten Computermarkt lanciert wurde.Statt RDRAM wurde aber DDR-SDRAM der SDRAM-Nachfolger im DRAM-Massenmarkt und Rambus® DRAMkonnte sich nur in speziellen Anwendungen behaupten. Als gängigste Bauform kann 184pin RIMM 800 Mhz und 184pin RIMM 800 Mhz - ECC genannt werden. Im Grafikkartenmarkt wird die Rambustechnologie weiterhin genutzt.
Rank	Der Begriff „Rank” wurde vom JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) eingeführt. Ein Memory Rank, auch als Speicherreihe bezeichnet, ist ein 64 Bit breiter Datenbereich eines Speichermoduls der einzeln adressiert werden kann. Je nachdem, wie und mit welchen DRAM-Chips ein DIMM hergestellt wird, kann es 1, 2 oder 4 Ranks enthalten. Entsprechend wird es dann als Single-, Dual- oder Quad-Rank-Modul bezeichnet. Wenn nicht der richtige Modultyp ausgewählt wird, könnte das den Weg für spätere Speichererweiterungen verbauen. Ebenso besteht zwischen der Anzahl der Memory Ranks und der Speichergeschwindigkeit des Servers ein enger Zusammenhang.
Registered DIMM	Registered DIMMs verfügen über spezielle Treiber-Bausteine (Register-ICs), die die Adress- und Datensignale eines Speichermoduls aufbereiten und an die Speicher-Chips weiterleiten. Bei den herkömmlichen Unbuffered-Modulen sind alle Signalleitungen parallel geschaltet und führen direkt zu den Speicherbausteinen. Dort wo hohe Speicherkapazitäten erforderlich sind können ungepufferte Speichermodule die Signale zu stark belasten und Störungen verursachen. Ein Nachteil der Registered-DIMM-Technologie ist die Zeitverzögerung, die aufgrund des Takts für das Signal-Refreshing entsteht. Allerdings gleicht der Vorteil eines stabileren Systems im Server-Umfeld diese Performance-Einbuße wieder aus. Werden als 168pin, 184pin für Intel bzw. AMD) und 240pin angeboten.
SDDC	Single Device Data Correction Bei x4-DDR-Speicher bietet Intel® x4 Single Device Data Correction (x4 SDDC) eine Fehlererkennung und -korrektur für 1, 2, 3 oder 4 Bits innerhalb desselben Speicherchips und eine Fehlererkennung bis zu 8 Bits innerhalb von zwei Speicherchips.
SDRAM	Synchronous Dynamic Random Access Memory Das SDRAM-Verfahren verwendet einen Taktgeber um die Signaleingabe und Signalausgabe auf einem Speicherchip zu synchronisieren. Der Taktgeber auf dem Speicherchip ist mit dem Taktgeber der CPU koordiniert, so dass die Zeitabläufe der Speicherchips und der CPU synchronisiert werden. Dieses Verfahren erzielt eine Zeitersparnis beim Ausführen von Befehlen und Übertragen von Daten. So kann bei SDRAM die CPU um etwa 25 % schneller auf den Arbeitsspeicher zugreifen als beim EDO-Speicher.
SIMM	Single In-line Memory Module Ein SIMM-Modul wird in die Speichererweiterungssockel des Computers eingesteckt. SIMMs können mühelos installiert werden und benötigen im Vergleich zu den horizontal installierten DRAM-Modulen nur einen minimalen Platzbedarf.
SO-DIMM	Small Outline Dual In-line Memory Module Ein SO-DIMM ist ungefähr halb so lang wie ein 72poliges SIMM-Modul und ist eine erweiterte Version eines standardmäßigen DIMM-Moduls. Aufgrund der geringen Baugröße wird dieses Konzept in Industrie-PC´s und Notebooks der Hersteller Acer, Apple, Dell, Fujitsu-Siemens, HP-Compaq, Lenovo, Siemens, Sony und Toshiba verwendet.
unbuffered	Bei den herkömmlichen Unbuffered-Modulen sind alle Signalleitungen parallel geschaltet und führen direkt zu den Speicherbausteinen. Dort wo hohe Speicherkapazitäten erforderlich sind können ungepufferte Speichermodule die Signale zu stark belasten und Störungen verursachen. Deshalb werden unbuffered Module vorzugsweise in Desktoprechnern von Acer, Apple, Dell, Fujitsu-Siemens, HP-Compaq, IBM, Lenovo verwendet.

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